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公司針對不同產(chǎn)品（如MEMS、MICROLED、DMOS、CMOS 等），具備資深的工藝人才和技術(shù)基礎(chǔ)，能夠針對不同的產(chǎn)品特性進(jìn)行設(shè)備選型、技術(shù)匹配及工藝試驗(yàn)，完成整套芯片設(shè)計(jì)、制造、檢測的流程。
制造芯片需要在晶圓片上不斷累加圖案，這些圖案縱向連接，可達(dá)100多層。
芯片的制造包含數(shù)百個(gè)步驟，在晶圓廠的無塵室里，珍貴的晶圓片通過機(jī)械設(shè)備不斷傳送，整個(gè)過程中，空氣質(zhì)量和溫度都受到嚴(yán)格控制。
芯片制造的關(guān)鍵工藝（10大步驟）
沉積
制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。
光刻膠涂覆
進(jìn)行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機(jī)。
曝光
在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機(jī)后，光束會(huì)通過掩模版投射到晶圓上。光刻機(jī)內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。
計(jì)算光刻
光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整，確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測試數(shù)據(jù)整合，制作算法模型，精確調(diào)整圖案。
烘烤與顯影
晶圓離開光刻機(jī)后，要進(jìn)行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。
刻蝕
顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。
計(jì)量和檢驗(yàn)
芯片生產(chǎn)過程中，始終對晶圓進(jìn)行計(jì)量和檢驗(yàn)，確保沒有誤差。檢測結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。
離子注入
在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓，對部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。
視需要重復(fù)制程步驟
從薄膜沉積到去除光刻膠，整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達(dá)100次。
封裝芯片
最后一步，切割晶圓，獲得單個(gè)芯片，封裝在保護(hù)殼中。這樣，成品芯片就可以用來生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了！
迷你摩天大樓
正如上文提到的“視需要重復(fù)制程步驟”，現(xiàn)代芯片的結(jié)構(gòu)可多達(dá)100層，需要以納米級的精度相互疊加，這精度又稱為“套刻精度”。芯片上光刻的各層圖案大小不一，這意味著，光刻各層圖案需要用到不同設(shè)備。DUV深紫外線光刻機(jī)有數(shù)種不同的機(jī)種，適合最小圖案的關(guān)鍵性光刻需求以及普通圖案的正常光刻。
