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公司針對不同產品（如MEMS、MICROLED、DMOS、CMOS 等），具備資深的工藝人才和技術基礎，能夠針對不同的產品特性進行設備選型、技術匹配及工藝試驗，完成整套芯片設計、制造、檢測的流程。
制造芯片需要在晶圓片上不斷累加圖案，這些圖案縱向連接，可達100多層。
芯片的制造包含數百個步驟，在晶圓廠的無塵室里，珍貴的晶圓片通過機械設備不斷傳送，整個過程中，空氣質量和溫度都受到嚴格控制。
芯片制造的關鍵工藝（10大步驟）
沉積
制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導體、絕緣體或半導體。
光刻膠涂覆
進行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機。
曝光
在掩模版上制作需要印刷的圖案藍圖。晶圓放入光刻機后，光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機內的光學元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發生化學反應，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。
計算光刻
光刻期間產生的物理、化學效應可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進行調整，確保最終光刻圖案的準確。現有光刻數據及圓晶測試數據整合，制作算法模型，精確調整圖案。
烘烤與顯影
晶圓離開光刻機后，要進行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。
刻蝕
顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。
計量和檢驗
芯片生產過程中，始終對晶圓進行計量和檢驗，確保沒有誤差。檢測結果反饋至光刻系統，進一步優化、調整設備。
離子注入
在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負離子轟擊晶圓，對部分圖案的半導體特性進行調整。
視需要重復制程步驟
從薄膜沉積到去除光刻膠，整個流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復，可多達100次。
封裝芯片
最后一步，切割晶圓，獲得單個芯片，封裝在保護殼中。這樣，成品芯片就可以用來生產電視、平板電腦或者其他數字設備了！
迷你摩天大樓
正如上文提到的“視需要重復制程步驟”，現代芯片的結構可多達100層，需要以納米級的精度相互疊加，這精度又稱為“套刻精度”。芯片上光刻的各層圖案大小不一，這意味著，光刻各層圖案需要用到不同設備。DUV深紫外線光刻機有數種不同的機種，適合最小圖案的關鍵性光刻需求以及普通圖案的正常光刻。
